实验装置:DS-氢渗透电解池; 充氢溶液(充氢池H-charging cell):0.2mol/L NaOH+0.22g/L CH4N2S (pH~12.6); 氧化溶液(H-detecting solution, Oxidation cell):0.2mol/L NaOH (pH~12.4); 充氢电流密度:5mA/cm^2;
预充氢溶液:3.5wt%NaCl+0.3g/NH4SCN,电流密度2mA/cm^2,4小时; TDS设定:室温加热到800℃,加热速率100℃/h; 操作要点:The specimens were placed in air for 15min before TDS analysis so that the first hydrogen desorption peak could be obtained more completely。 下图:氢陷阱分析:a-氢脱附曲线(MS1300-0%和MS1300-3%)、b-氢脱附曲线高斯拟合; //了解更多内容,可下载文献全文。// ↓↓ 扩展阅读: 氢脆研究及测试评价设备 TDS热脱附测氢表征测量系统 氢脆机理模型(AIDE、HEDE、HESIV、HELP)和氢探测技术(TDS、HMT、SIMS、SKP、SKPFM、APT) TDS测氢:氢含量测试——【来样测试:热脱附法测氢,设备型号-JSL-JTF-20A】
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