美国伊利诺伊大学的研究人员发明了一种化学腐蚀新技术，可以在砷化镓（GaAs）中生成图形化阵列。该技术使高端光电装置的制备变得更容易。相关研究论文于11月3日在线发表在《纳米快报》（Nano Letters）上。
   
       通常用两种方法来进行半导体腐蚀：湿法腐蚀和干法腐蚀。在光电应用方面，III-V族半导体GaAs是比硅性能更好的半导体材料。大的宽高比结构对高端光电装置应用至关重要，但是GaAs难以用传统干法腐蚀来得到大的宽高比结构。李秀玲（Xiuling Li）领导的小组优化了MacEtch方法（金属辅助化学腐蚀方法），同时为了在GaAs表面生长金属薄膜图案，李秀玲小组完善出一种软刻蚀技术。李秀玲说，结合软刻蚀技术和MacEtch方法可以以低成本的方式大面积生产高宽高比的III-V族纳米结构半导体。
   
       李秀玲表示，只要找到合适的刻蚀条件，MacEtch方法就可以广泛应用。